技術(shù)編號：12924644
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及芯片封裝的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種芯片封裝器件。背景技術(shù)絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼具MOS的高輸入阻抗和GTR(巨型晶體管)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大，MOS驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低，非常適合應(yīng)用于...
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