技術(shù)編號(hào):12916811
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工領(lǐng)域,尤其涉及一種互連結(jié)構(gòu)的處理方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu)通常包括金屬層、阻擋層、掩膜層、介質(zhì)層等膜層結(jié)構(gòu)。為了達(dá)到一定的工藝目的,需要對(duì)其中的部分膜層進(jìn)行處理,以裸露出介質(zhì)層表面。傳統(tǒng)的處理方式采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝對(duì)半導(dǎo)體互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行研磨,直至介質(zhì)層裸露出來(lái)為止,其中的金屬層、阻擋層以及掩膜層均通過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨工藝加以去除。然而,隨著技術(shù)的革新,介質(zhì)層中開(kāi)始采用低K或超低K材料,這類材料非常脆弱,如果全程都采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝進(jìn)行處理,工藝中產(chǎn)生的下壓力對(duì)低K或超低K材料...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。