技術(shù)編號(hào)：12889757
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及或門制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基于磁性斯格明子的或門及其控制和應(yīng)用方法。背景技術(shù)信息技術(shù)飛速發(fā)展，不僅改善了人類的生活質(zhì)量，也對信息存儲(chǔ)技術(shù)提出了向高密度，高速度，低耗能方向極速發(fā)展的要求?，F(xiàn)有或門采用傳統(tǒng)CMOS結(jié)構(gòu)，體積大，功耗高、穩(wěn)定性低，顯然已經(jīng)不能滿足人們?nèi)找嬖鲩L的信息存儲(chǔ)需求。發(fā)明內(nèi)容基于此，有必要提供一種體積小、功耗低、穩(wěn)定性高的或門。一種基于磁性斯格明子的或門，包括磁納米軌道，所述磁納米軌道包括相互接觸連接的磁性層和強(qiáng)自旋軌道耦合層，所述磁性層包括第一輸入端，第二輸入...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。