技術(shù)編號：12888870
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明構(gòu)思的實施方式涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及垂直存儲器件以及制造該垂直存儲器件的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體器件已經(jīng)被高度地集成以提供優(yōu)良性能和低制造成本。具體地，存儲器件的集成密度可以是確定其成本的一個重要因素。傳統(tǒng)的二維(2D)半導(dǎo)體存儲器件的集成密度可以主要地由單位存儲單元占據(jù)的面積確定。因此，傳統(tǒng)的2D半導(dǎo)體存儲器件的集成密度可以受形成精細(xì)圖案的技術(shù)影響。然而，因為可能需要極高價的裝置來形成精細(xì)圖案，所以2D半導(dǎo)體存儲裝置的集成密度可能受到限制。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施方式，提供了一種...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。