技術(shù)編號(hào)：12874141
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及幾種新型復(fù)合釬料的成分設(shè)計(jì)。背景技術(shù)以Si和GaAs為代表的傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的發(fā)展推動(dòng)了光電子、微電子的迅猛發(fā)展，然而由于材料性能的局限性，第一代、第二代半導(dǎo)體材料不足以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)發(fā)展對(duì)高溫、高頻、高壓以及抗輻射等材料性能提出的新要求，而以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高及抗輻射能力強(qiáng)等性能，使其在光電器件、高頻大功率、高溫電子器件等方面倍受青睞。80Au-20Sn釬料是人們研究較早的高溫釬料。80Au-20Sn合金為二元共...
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