技術編號：12865054
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。功率半導體器件的3D-RESURF終端結構及其制造方法技術領域本發(fā)明屬于半導體技術領域，涉及一種功率半導體器件的終端結構及其制造方法。背景技術功率器件阻斷高壓的能力主要受限于邊緣元胞PN結耐壓能力。擴散形成的PN結會在擴散窗口邊緣形成一個柱面結，而在矩形擴散窗口四角處擴散形成了球面結，導致PN結的擊穿電壓低于平行平面結電壓。同時，由于界面電荷的影響，使得表面半導體表面電場通常高于體內(nèi)電場，使得芯片的雪崩擊穿發(fā)生在表面。結終端就是為了減小局部電場、提高表面擊穿電壓及可靠性、使器件實際擊穿電壓更接近...
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