技術(shù)編號：12865035
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種X射線探測器及其制作方法，特別是涉及一種新型光導型氮化鎵基室溫X射線探測器結(jié)構(gòu)，該探測器為垂直結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在第三代半導體中，GaN以高遷移率、禁帶寬度大、擊穿電場強、抗輻射性強等優(yōu)異的性能在在半導體激光器、紫外探測器、發(fā)光二級管還有功率開關(guān)器件等半導體器件上有著重大的應用。近年來由于在抗輻射性、高熔點、化學穩(wěn)定性方面具有優(yōu)良的性質(zhì)，GaN基探測器在核探測器領域也受到關(guān)注和研究。早期的半導體核探測器如Li漂移Si、高純Ge核探測器對核輻射的抗性較差，在核輻射下性能容易變差。而且這些...
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