技術(shù)編號：12864954
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本揭露實(shí)施例是有關(guān)于一種基于等離子體的制程機(jī)臺與氣體分布板(gasdistributionplate，GDP)，且特別是有關(guān)于一種基于等離子體的制程機(jī)臺、多區(qū)氣體分布板及其設(shè)計(jì)方法。背景技術(shù)在制造集成電路期間，執(zhí)行半導(dǎo)體制程的多重工序，以逐步地形成電子元件于半導(dǎo)體基板上。一個(gè)這種半導(dǎo)體制程為基于等離子體的蝕刻?；诘入x子體的蝕刻是從工件移除材料的制程，所述的移除是通過把化學(xué)反應(yīng)等離子體應(yīng)用至工件和/或通過以等離子體粒子來撞擊工件?；诘入x子體的蝕刻可根據(jù)波希(Bosch)制程來使用以形成深且高的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。