技術編號：12864820
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。基于負離子的中性束注入器本申請是于2015年5月4日提交的已進入中國國家階段的PCT專利申請(中國國家申請?zhí)枮?01380057640.X，國際申請?zhí)枮镻CT/US2013/058093，發(fā)明名稱“基于負離子的中性束注入器”)的分案申請。技術領域本文中公開的主題大體涉及中性束注入器，并且更具體地涉及基于負離子的中性束注入器。背景技術直至目前，在磁核聚變研究、材料加工、蝕刻、殺菌和其它應用中使用的中性束均由正離子形成。通過靜電場從氣體放電等離子提取和加速正氫同位素離子。在加速器的地平面之后，它們進...
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