技術(shù)編號：12858598
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。：本發(fā)明涉及半導體材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種P型磷化銦單晶制備配方及制備方法。背景技術(shù)：磷化銦(InP)是重要的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體材料之一，是繼硅、砷化鎵之后的新一代電子功能材料。與砷化鎵(GaAs)相比，其優(yōu)越性主要在于高的飽和電場飄移速度、導熱性好以及較強的抗輻射能力等，因此InP晶片通常用于新型微電子、光電子元器件制造。InP單晶材料按電學性質(zhì)主要分摻硫N型InP；摻鋅P型InP；摻鐵或非摻雜退火半絕緣InP單晶。n型InP單晶用于光電器件，InP基的長波長(1.3-1.55μm)發(fā)光二...
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