技術(shù)編號：12846540
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于光電材料領(lǐng)域，具體涉及可用作薄膜太陽能電池吸收層材料的窄帶隙的Sb2S3半導(dǎo)體薄膜的水熱制備方法。背景技術(shù)Sb2S3是一種典型的過渡金屬硫族化合物，它是典型的V-VI族化合物，是一種非常重要的直接帶隙無機半導(dǎo)體。它的帶隙值為1.5eV~2.2eV，同時，Sb2S3在波長小于900nm的范圍內(nèi)，呈現(xiàn)出較高的光吸收系數(shù)（α≈105cm-1）。Sb2S3對太陽光光譜的響應(yīng)范圍較寬，體現(xiàn)出優(yōu)異的光敏性能。作為一種很有潛力的半導(dǎo)體材料，Sb2S3因為具有上述的物理特性及半導(dǎo)體屬性，使其成為極具發(fā)...
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