技術(shù)編號(hào)：12838033
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體模塊。背景技術(shù)常規(guī)而言，作為構(gòu)成電力轉(zhuǎn)換器的半導(dǎo)體模塊，以下配置是已知的：其中，在高電流區(qū)域中性能優(yōu)異的IGBT與在低電流區(qū)域中性能優(yōu)異的MOSFET相結(jié)合。例如，JP5863599和JP5805513各自披露了配備有彼此并聯(lián)路徑的IGBT和MOSFET的半導(dǎo)體模塊(功率模塊)。這種半導(dǎo)體模塊是有利的，因?yàn)榫哂蠭GBT和MOSFET的優(yōu)異特性。當(dāng)設(shè)計(jì)配備有IGBT和MOSFET二者的半導(dǎo)體模塊時(shí)，要求抑制使得兩個(gè)切換元件彼此熱干擾的熱影響(也稱為熱損傷)的發(fā)生。響應(yīng)于這種要求...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。