技術(shù)編號：12837983
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。所公開的實施例涉及n溝道漏極延伸金屬氧化物半導體(DEMOS)器件。背景技術(shù)可以使用n溝道或p溝道DEMOS結(jié)構(gòu)來制造功率半導體器件。DEMOS器件通過在器件的漏極和溝道之間添加p型漏極漂移區(qū)來延伸器件的n+漏極，從而捕獲該區(qū)域而不是溝道區(qū)中的大部分電場，因此，在該區(qū)域而不是溝道區(qū)中具有熱載流子效應，由此增加熱載流子可靠性。DEMOS器件可具有對稱漏極結(jié)構(gòu)或不對稱漏極結(jié)構(gòu)。發(fā)明內(nèi)容提供本發(fā)明內(nèi)容以簡化的形式介紹所公開概念的簡要選擇，這些概念在下面包括所提供的附圖的具體實施方式中作進一步描述。本發(fā)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。