技術(shù)編號(hào)：12834959
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及CMP漿料技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及了一種硅CMP漿料及其使用該CMP漿料的拋光方法。背景技術(shù)隨著微電子器件的集成規(guī)模的擴(kuò)張，微電子器件的平坦化尤為重要。其中多晶硅具有半導(dǎo)體性質(zhì)，是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料，是當(dāng)代人工智能、自動(dòng)控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料，但是如果多晶硅表面不平坦，就會(huì)帶來許多問題，因此對(duì)多晶硅表面進(jìn)行平坦化處理至關(guān)重要。其中，CMP是平坦化技術(shù)中的一種，在整個(gè)拋光過程中，硅CMP漿料的性能起到關(guān)鍵的作用，在現(xiàn)有技術(shù)中...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。