技術(shù)編號(hào)：12830133
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種等離子體處理裝置及等離子體處理的方法。背景技術(shù)等離子體處理裝置廣泛應(yīng)用于集成電路的制造工藝中，如沉積、刻蝕等，其中，電感耦合型等離子體（ICP，InductivelyCoupledPlasma）裝置是等離子體處理裝置中的主流技術(shù)之一，其原理主要是使用射頻功率驅(qū)動(dòng)電感耦合線圈產(chǎn)生較強(qiáng)的高頻交變磁場(chǎng)，使得低壓的反應(yīng)氣體被電離產(chǎn)生等離子體。等離子體中含有大量的電子、離子、激發(fā)態(tài)的原子、分子和自由基等活性粒子，上述活性粒子可以和待處理晶圓的表面發(fā)生多種物理和化學(xué)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。