技術(shù)編號(hào)：12827209
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種硅片邊緣芯片的保護(hù)方法及光刻曝光裝置，應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，硅片邊緣保護(hù)技術(shù)廣泛應(yīng)用于先進(jìn)封裝制造流程，特別是在硅片金屬電鍍相關(guān)的光刻工序中，如BUMP(凸塊工藝)、RDL(重布線層技術(shù))等光刻關(guān)鍵工序中，均需使用到硅片邊緣保護(hù)技術(shù)。如圖1和圖2所示，通常在硅片20表層會(huì)預(yù)先鋪設(shè)金屬種子層21，在硅片20的金屬電鍍工序中，通過硅片20邊緣裸露的金屬種子層21與電源陰極11相連，使硅片20整個(gè)表面具備導(dǎo)電性，同時(shí)與帶正電的陽(yáng)極10形成回路，通過電流帶動(dòng)金屬離子...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。