技術(shù)編號(hào)：12825163
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本揭示內(nèi)容是有關(guān)于一種時(shí)脈樹架構(gòu)，集成電路及方法。背景技術(shù)電遷移是在導(dǎo)電材料內(nèi)傳輸多個(gè)原子，是經(jīng)由通過導(dǎo)電材料的多個(gè)電子(即電流)和導(dǎo)電材料中的那些原子間傳遞動(dòng)量的碰撞引起?，F(xiàn)今集成電路晶片經(jīng)常在多個(gè)金屬互連層中發(fā)生電遷移。舉例來說，由于電子將電流傳到半導(dǎo)體裝置，這些電子會(huì)撞到在多個(gè)金屬互連層內(nèi)的多個(gè)金屬原子。這些碰撞會(huì)導(dǎo)致在金屬互連層中的原子移動(dòng)(即經(jīng)歷電遷移)，造成金屬互連層中有空隙而導(dǎo)致集成電路故障。發(fā)明內(nèi)容本揭示內(nèi)容的一實(shí)施方式關(guān)于一種設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的時(shí)脈樹架構(gòu)。時(shí)脈樹架構(gòu)包含具有第...
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