技術編號：12820657
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體電力電子器件技術領域中的電導調制型高壓功率器件，具體是一種自驅動陽極輔助柵橫向絕緣柵雙極型晶體管。背景技術以絕緣體上硅(SOI：SiliconOnInsulator)為襯底材料制作的橫向絕緣柵雙極型晶體管(LIGBT：LateralInsulatedGateBipolarTransistor)，簡稱SOI-LIGBT，尤其是薄硅層SOI-LIGBT，是SOI高壓集成電路的一個關鍵組成部分，它具有驅動簡單，電流能力大，易于集成的優(yōu)點，但是其關斷速度遠比橫向雙擴散金屬-氧化物-半導體...
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