技術(shù)編號：12808752
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。驅(qū)動電路本申請要求于2015年12月24日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2015-0186802號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述韓國專利申請的全部公開內(nèi)容出于所有目的通過引用被包含于此。技術(shù)領(lǐng)域以下描述涉及一種使用金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和橫向雙擴(kuò)散(LD)MOSFET(以下稱為LD-MOS)的驅(qū)動電路。背景技術(shù)通常，由金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)集成電路組成的驅(qū)動電路可用于生成驅(qū)動信號的電子裝置中。在這種情況下，驅(qū)動電路應(yīng)考慮到所需驅(qū)動信號的電壓電平而進(jìn)行設(shè)計(jì)。在需...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。