技術編號：12807167
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體功率器件，特別是雙子導電功率器件的材料和結構。背景技術眾所周知，傳統(tǒng)的橫向雙子功率器件是通過利用大注入效應引入的大量空穴和電子來導電。例如最典型的橫向絕緣柵雙極型晶體管器件(LIGBT)，由于使用了雙子導電，所以其導通電阻小，導通壓降遠小于同等條件下的金屬氧化物半導體型器件(MOS)。盡管MOS器件使用多子導電，導致導通電阻較大，但其開關速度極為迅速；然而由于LIGBT利用了雙子導電，在功率器件關閉時漂移區(qū)中會存在大量的非平衡載流子，它們無法在短時間之內(nèi)被中和掉，這導致LIGBT...
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