技術(shù)編號：12806829
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造領(lǐng)域，特別涉及一種聚焦環(huán)的溫度調(diào)整裝置及方法。背景技術(shù)等離子處理裝置是在真空反應(yīng)腔室中通入含有適當(dāng)刻蝕劑或淀積源氣體的反應(yīng)氣體，然后再對該真空反應(yīng)腔室進行射頻能量輸入，以激活反應(yīng)氣體，來點燃和維持等離子體，以便通過等離子體刻蝕基片表面上的材料層或在基片表面上淀積材料層，進而對半導(dǎo)體基片或等離子平板等進行加工。如圖1所示，在現(xiàn)有的一種電容耦合型等離子體處理裝置中，包含真空的反應(yīng)腔室1，反應(yīng)腔室1內(nèi)的頂部設(shè)有氣體噴淋頭2等進氣裝置，并可同時實現(xiàn)上電極的功能，使其耦接于大地或...
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