技術(shù)編號(hào):12794326
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及抗靜電材料制造領(lǐng)域,具體涉及一種具有活性炭負(fù)載硅納米線的合金材料的制備方法。背景技術(shù)理想的電子封裝材料要具備熱膨脹系數(shù)低、高導(dǎo)熱、氣密性佳、足夠的強(qiáng)度和剛度、便于加工成型和焊接以及輕質(zhì)輕量等優(yōu)點(diǎn),目前常用的幾類封裝材料主要有塑料封裝材料、陶瓷封裝材料、金屬封裝材料以及金屬基復(fù)合材料幾大類,其中金屬基復(fù)合電子封裝材料具有強(qiáng)度高、導(dǎo)熱性好等優(yōu)點(diǎn)成為行業(yè)研究的熱點(diǎn),尤其是鋁基金屬材料,其輕質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)在汽車領(lǐng)域廣受青睞,提高鋁基封裝材料的綜合性能也是研究熱點(diǎn),尤其在抗靜電方面的研究,目前更是廣受...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。