技術(shù)編號(hào)：12788218
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)，尤其涉及一種發(fā)光二極管(LightEmittingDiode，LED)外延生長(zhǎng)方法。背景技術(shù)量子阱發(fā)光層作為L(zhǎng)ED外延片的關(guān)鍵技術(shù)層，決定LED的一些光電參數(shù)以及LED的最終亮度。傳統(tǒng)LED外延生產(chǎn)方法中，如圖1所示，其中量子阱發(fā)光層的結(jié)構(gòu)是銦氮化鎵(InGaN)作為阱層，氮化鎵(GaN)作為壘層，其中，在生長(zhǎng)溫度750-780℃下，InGaN層的厚度為3-4nm，在生長(zhǎng)溫度850-880℃下，GaN層的厚度為5-9nm，且生長(zhǎng)階段保持恒溫。然而，這種方法在生產(chǎn)阱層時(shí)會(huì)...
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