技術(shù)編號:12775409
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及ITO靶材的制備技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種采用無壓燒結(jié)法法制備ITO靶材的方法。背景技術(shù)ITO(錫銦氧化物)的主要成分是氧化錫固溶在氧化銦中的復(fù)合氧化物。ITO具有很好的光電性能,ITO的薄膜具有高的導(dǎo)電性和可見光透射性,被廣泛應(yīng)用于太陽能電池、液晶顯示裝置、觸控電板等各種領(lǐng)域。隨著液晶平板顯示裝置等的快速普及,ITO靶材的消耗越來越多,對靶材的要求也越來越高。目前,采用納米材料制備低溫?zé)Y(jié)的ITO靶材是靶材研究者不懈努力的方向,雖然常用的方法是采用共沉淀法制備納米ITO粉末,但現(xiàn)有技術(shù)制...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。