技術(shù)編號：12774952
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及半導體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種IGBT驅(qū)動器。背景技術(shù)IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT管和MOS管組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q...
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