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橫向絕緣柵雙極型晶體管界面態(tài)的測(cè)試方法及5端口器件與流程技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):12749600

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本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體器件可靠性領(lǐng)域,具體涉及一種橫向絕緣柵雙極型晶體管界面態(tài)的測(cè)試方法及5端口器件。背景技術(shù)橫向絕緣柵雙極型晶體管(lateralinsulatedgatebipolartransistor,LIGBT)是一種將雙極性晶體管與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)合而成的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件,具有擊穿電壓高、輸出能力強(qiáng)及可集成的特點(diǎn)。絕緣層上硅(silicononinsulator,SOI)工藝具有寄生電容小、隔離性能好及集成度高等優(yōu)點(diǎn)。因此,基于SOI技術(shù)的LIGBT器件廣泛應(yīng)用于功率集成...
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