技術(shù)編號(hào):12749600
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于功率半導(dǎo)體器件可靠性領(lǐng)域,具體涉及一種橫向絕緣柵雙極型晶體管界面態(tài)的測(cè)試方法及5端口器件。背景技術(shù)橫向絕緣柵雙極型晶體管(lateralinsulatedgatebipolartransistor,LIGBT)是一種將雙極性晶體管與金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)合而成的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件,具有擊穿電壓高、輸出能力強(qiáng)及可集成的特點(diǎn)。絕緣層上硅(silicononinsulator,SOI)工藝具有寄生電容小、隔離性能好及集成度高等優(yōu)點(diǎn)。因此,基于SOI技術(shù)的LIGBT器件廣泛應(yīng)用于功率集成...
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