技術(shù)編號：12749598
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本揭露關(guān)于例如集成電路的半導(dǎo)體裝置的制造。本揭露尤指關(guān)于能應(yīng)用于偵測半導(dǎo)體晶圓上有缺陷的金屬組件。背景技術(shù)在半導(dǎo)體晶圓上的金屬沉積期間，舉例而言，通過化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、電化學(xué)電鍍(ECP)或無電鍍覆(ELP)，可能因例如不適當(dāng)?shù)馁|(zhì)量傳輸、反應(yīng)動力學(xué)、污染基板等各種因子而在穿孔或溝槽中形成不適當(dāng)?shù)奶畛浠蚩昭āＴ诎雽?dǎo)體晶圓中(例如在溝槽硅化物結(jié)構(gòu)中)存在有埋入空穴可能會導(dǎo)致嚴(yán)重的可靠度問題。然而，埋入空穴目前不能通過表面掃瞄而偵測，該表面掃瞄例如為亮場檢查(BFI)、掃...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。