技術(shù)編號：12749592
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種優(yōu)化鰭式場效晶體管結(jié)構(gòu)的方法以及鰭式場效晶體管。背景技術(shù)對于鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET，也稱為鰭型場效應(yīng)晶體管)，美國專利US7187042B2提出通過鰭一側(cè)的表面處理，可以在鰭兩側(cè)形成不同厚度的柵極介質(zhì)層。這種不對稱結(jié)構(gòu)用于后柵(backgate)結(jié)構(gòu)。但是，諸如美國專利US7187042B2之類的現(xiàn)有技術(shù)還沒有提出一種方案使得能夠在鰭垂直方向上得到不同厚度的柵極介質(zhì)層從而有效降低鰭有效溝道底部的漏電。因此，希望能夠提出一種方案使得能夠在...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。