技術(shù)編號(hào):12737130
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種晶圓邊緣所受沖擊力的監(jiān)測(cè)方法以及設(shè)備調(diào)整方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,一片晶圓從最開(kāi)始的硅片,通過(guò)光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積、化學(xué)機(jī)械研磨等工序,在其上制作出各種器件。這其中,晶圓會(huì)經(jīng)歷上百道的工序。因而,晶圓必然的會(huì)與各種各樣的設(shè)備發(fā)生接觸。在一些設(shè)備中,需要對(duì)晶圓進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)(包括定位),以確保制程的順利進(jìn)行,通常是與晶圓的邊緣或者缺口(notch)相接觸來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)準(zhǔn)。例如,如圖1所示,一種半導(dǎo)體加工設(shè)備對(duì)晶圓的定位過(guò)程是多個(gè)頂針(pin)2自晶圓1...
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