技術(shù)編號:12737062
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于加工半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體處理裝置及系統(tǒng),如等離子體刻蝕裝置、等離子體沉積裝置等,尤其涉及該裝置、系統(tǒng)中的頂蓋開啟裝置與方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,對于給定的真空處理裝置,業(yè)內(nèi)人員總是希望它的工藝結(jié)果是符合預(yù)期的。以等離子體刻蝕裝置為例,對它賦以相同的刻蝕參數(shù)用來加工不同批次的相同基片時,人們期望各個批次的基片被刻蝕的深度、均勻度等都是大致相同的,至少是差異不大的。通常而言,在設(shè)備維修或重新調(diào)制后的初期,大體能滿足上述要求。然而,長期持續(xù)運行很長一段時間,通常兩三個月后,同一設(shè)備以...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。