技術(shù)編號(hào):12725607
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種雪崩二極管的外延結(jié)構(gòu)及雪崩二極管的制造方法。背景技術(shù)制造高頻響應(yīng)的雪崩二極管(AvalanchePhotodiodes:APD)時(shí),如果采用平面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)時(shí),一般需要采用鋅擴(kuò)散的技術(shù)來(lái)定義器件的接收面積大小,這個(gè)器件的接收面積大小通常就是鋅擴(kuò)散的面積的大小。對(duì)于高頻響應(yīng)的雪崩二極管器件,需要很精準(zhǔn)的控制雪崩增益層的厚度以達(dá)到最佳的器件操作特性,尤其是器件的頻率響應(yīng)。參考圖1所示,雪崩二極管的光吸收層的上一層一般采用低摻雜InP材料構(gòu)成,其總厚度為T(mén)(一般為...
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