技術(shù)編號(hào)：12725353
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種氧化鎵基金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種氧化鎵基金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法。背景技術(shù)以氧化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料因其禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、電子飽和漂移速度高、耐腐蝕和抗輻照等突出優(yōu)點(diǎn)，在高頻、高功率、抗輻射等電子器件方面具有重要應(yīng)用。特別是，氧化鎵的禁帶寬度高達(dá)4.9eV、擊穿電場(chǎng)可達(dá)3.5×106V/cm，以及具有比碳化硅和氮化鎵更大的巴利加優(yōu)值，成為功率半導(dǎo)體器件研制的重要候選材料。目前有關(guān)氧化鎵基金...
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