技術(shù)編號：12725181
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體裝置及其制造方法本申請是申請日為2013年07月11日、申請?zhí)枮?01310289922.4、題為“半導(dǎo)體裝置及其制造方法”的專利申請的分案申請。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明構(gòu)思涉及一種半導(dǎo)體裝置，更具體地說，涉及一種垂直型半導(dǎo)體裝置及其制造方法。背景技術(shù)為了滿足優(yōu)異的性能和低成本而已經(jīng)使半導(dǎo)體裝置高度集成。存儲裝置的集成密度對于決定產(chǎn)品的價格是很重要的因素。在傳統(tǒng)的二維(2D)存儲裝置中，集成密度主要通過存儲單元的占用面積來決定，存儲單元的占用面積受精細(xì)圖案形成技術(shù)的水平影響。然而，通過高成本的設(shè)備執(zhí)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。