技術(shù)編號(hào)：12724883
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種FS-IGBT的制造方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體的說(shuō)涉及一種FS-IGBT(場(chǎng)截止型絕緣柵雙極型晶體管)的制造方法。背景技術(shù)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種兼具M(jìn)OS場(chǎng)效應(yīng)和雙極型晶體管復(fù)合的新型功率電力器件，它兼具M(jìn)OSFET器件易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管導(dǎo)通壓降低，通態(tài)電流大，損耗小的優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已在交通、能源、工業(yè)、醫(yī)學(xué)、家用電器等諸多領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。就IGBT漂移區(qū)結(jié)構(gòu)及制備方法上來(lái)講，絕緣柵雙極型晶體管主要經(jīng)歷了，穿通型IGBT(PT-IGB...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。