技術(shù)編號：12719435
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。各種示例性實施例總體涉及一種電子裝置，且更具體地，涉及一種用于半導(dǎo)體存儲裝置的控制器及其操作方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體存儲裝置是由諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(Inp)的半導(dǎo)體材料制成的儲存裝置。半導(dǎo)體存儲裝置可被分類為易失性存儲裝置和非易失性存儲裝置。當(dāng)斷電時，易失性存儲裝置通常丟失儲存的數(shù)據(jù)。易失性存儲裝置的示例包括靜態(tài)RAM(SRAM)、動態(tài)RAM(DRAM)和同步DRAM(SDRAM)。非易失性存儲裝置無論通電/斷電狀態(tài)都保留儲存的數(shù)據(jù)。非易失性存儲裝置的示例包括只讀...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
請注意，此類技術(shù)沒有源代碼，用于學(xué)習(xí)研究技術(shù)思路。