技術(shù)編號(hào)：12714535
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高壓功率器件的動(dòng)態(tài)特性測(cè)試電路及測(cè)試方法。背景技術(shù)高壓IGBT作為大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件，在功率電子領(lǐng)域應(yīng)用廣泛能夠。目前，主要采用測(cè)試設(shè)備與測(cè)試夾具組合方法對(duì)高壓IGBT的動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行測(cè)試，具體為：通過電纜將測(cè)試信號(hào)源(電壓源和電流源)、被測(cè)樣品(DUT)、檢測(cè)儀表連接，根據(jù)被測(cè)試模塊的封裝型式、功率等級(jí)來配置不同的放電電容和測(cè)試母線。但是由于設(shè)備本身存在寄生電容和寄生電感，在進(jìn)行開啟、關(guān)斷及二極管反向恢復(fù)電荷測(cè)試時(shí)，會(huì)形成電能反復(fù)充放，導(dǎo)致高壓IGBT...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。