(u/v = 1. 004))的平均粒徑為表2所示的 值之外，其余均以與實(shí)施例1的試樣序號3同樣地制作試樣序號9~13的層疊陶瓷電容器 試樣，并進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的特性評價(jià)。結(jié)果表示于表2中。
[0157][表 2]
[0158]
[0159]※為比較例
[0160]根據(jù)表2可以了解到rbniax/ra、rbmin/r^及偏析顆粒存在率處于本發(fā)明的范圍內(nèi)， 在含Mg偏析顆粒不存在的情況下（試樣序號10~12)相對介電常數(shù)、電容溫度特性以及 高溫負(fù)荷壽命全部都為良好。
[0161](實(shí)施例3)
[0162] 除了燒成條件之外其余均以與實(shí)施例1的試樣序號3同樣地制作試樣序號14~ 27的層疊陶瓷電容器試樣，并進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的特性評價(jià)。實(shí)施例3的燒成條件分別 為使升溫速度在200~2000°C /小時(shí)之間變化；使保持溫度在1180~1300°C之間變化；使 保持時(shí)間在〇. 5~20小時(shí)之間變化；使降溫速度在600~800°C /小時(shí)之間變化。另外， 氛圍氣體為被加濕后的N2+H2混合氣體，氧分壓為l(T 12MPa。結(jié)果表示于表3中。
[0163][表 3]
[0164]
[0165] ※為比較例
[0166] 根據(jù)表3,在rbmax/ra、rbmin/raW及偏析顆粒存在率在本發(fā)明的范圍內(nèi)且不存在含 Mg偏析顆粒的情況下（試樣序號17、18、20、21、23、25、26、27)，相對介電常數(shù)、電容溫度特 性以及高溫負(fù)荷壽命全部都為良好。
[0167] 另外，與存在含Mg偏析顆粒的情況（試樣序號14、16、19、22、28)相比較，在不存 在含Mg偏析顆粒的情況下確認(rèn)高溫負(fù)荷壽命為良好。
[0168](實(shí)施例4)
[0169] 除了 Dy2O3粉末、Ho 203粉末、Yb 203粉末、MgO粉末和SiO 2粉末的添加量之外其余均 以與實(shí)施例1的試樣序號2、3同樣地制作試樣序號31~53的層疊陶瓷電容器試樣，并進(jìn) 行與實(shí)施例1同樣的特性評價(jià)。結(jié)果表示于表4中。
[0170][表 4]
[0171]
[0172] ※為比較例
[0173] 根據(jù)表4,在rbmax/ra、rbmin/raW及偏析顆粒存在率在本發(fā)明的范圍內(nèi)且不存在含 Mg偏析顆粒的情況下（試樣序號32、35~37、40~42、45~47、50~52)，相對介電常數(shù)、 電容溫度特性以及高溫負(fù)荷壽命全部都為良好。
[0174](實(shí)施例5)
[0175] 除了 Ra、Rb以及Rc的種類之外其余均以與實(shí)施例1的試樣序號3同樣地制作試 樣序號54~59的層疊陶瓷電容器試樣，進(jìn)行與實(shí)施1同樣的特性評價(jià)。結(jié)果表示于表5 中。
[0176][表 5]
[0177]
[0178] 根據(jù)表5,在rbmax/ra、r bmin/ra&及偏析顆粒存在率處于本發(fā)明的范圍內(nèi)且不存在 含Mg偏析顆粒的情況下，相對介電常數(shù)、電容溫度特性以及高溫負(fù)荷壽命全部都為良好。 另外，使用Dy、Ho和Yb作為Ra、Rb和Rc的結(jié)果可以確認(rèn)在考慮相對介電常數(shù)的情況下最 好。
[0179](實(shí)施例6)
[0180] 除了令燒成條件與實(shí)施例3的試樣序號21同樣之外其余均以與實(shí)施例5的試樣 序號33 (比較例）同樣的條件制作層疊陶瓷電容器試樣，并作為試樣序號60。然后，在與實(shí) 施例5同樣的條件下進(jìn)行特性評價(jià)。結(jié)果表示于表6中。
[0181][表 6]
[0182]
[0183] 根據(jù)表6,在rbmax/ra、rbmin/raW及偏析顆粒存在率處于本發(fā)明的范圍內(nèi)且不存在 含Mg偏析顆粒的情況下（試樣序號60)，相對介電常數(shù)、電容溫度特性以及高溫負(fù)荷壽命全 部都為良好。
[0184] 將試樣序號3 (實(shí)施例）、試樣序號16 (比較例）、試樣序號21 (實(shí)施例）所涉及的 電介質(zhì)陶瓷組合物的概略圖表示于圖3A、圖3B、圖3C。另外，為了在本概略圖中優(yōu)先做到容 易理解，記載了比實(shí)際上所含的數(shù)目更多的偏析顆粒b和其他電介質(zhì)顆粒c。
[0185] 將表不試樣序號16的圖3B與表不試樣序號3的圖3A和表不試樣序號21的圖3C 相比較。在圖3A、圖3B以及圖3C中，可以看到具有核殼結(jié)構(gòu)電介質(zhì)顆粒a、偏析顆粒b以 及其他電介質(zhì)顆粒c是共同的。但是，不同點(diǎn)在于在圖3B中看到了微小的偏析顆粒b，而在 圖3A和圖3C中看不到微小的偏析顆粒b。在存在這樣的微小偏析顆粒b的情況下，r tain/ r/變小。另外，微小的偏析顆粒b大多是含Mg偏析顆粒。在試樣序號16(圖3B)中，在微 小的偏析顆粒b中也存在含Mg偏析顆粒。
[0186] 此外，在試樣序號3、試樣序號16與試樣序號21中，全部組成相同，僅燒成條件 不同。該結(jié)果表示，電介質(zhì)陶瓷組合物的組成即使相同，通過使燒成條件變化也能夠調(diào)整 rbmM/ra、rbmin/ra、偏析顆粒存在率和含Mg偏析顆粒的有無。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于： 是具有由通式ABO3表示的鈣鈦礦型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的主成分、以及至少含有稀土化合物的添 加物的電介質(zhì)陶瓷組合物，其中，A是選自Ba、Ca和Sr當(dāng)中的至少一種，B是選自Ti和Zr 當(dāng)中的至少一種， 至少具備具有核殼結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)顆粒和偏析顆粒， 在所述偏析顆粒中，所述稀土化合物的濃度為所述具有核殼結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)顆粒的殼部 的所述稀土化合物的平均濃度的2倍以上， 所述偏析顆粒所占有的面積為〇. 1~1. 1%， 在令所述偏析顆粒的最大粒徑為rb_、所述偏析顆粒的最小粒徑為rbmin、所述具有核殼 結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)顆粒的平均粒徑為ra的情況下，r b"X 2. 00和r 0. 25， 不存在實(shí)質(zhì)上含有Mg的所述偏析顆粒。2. 如權(quán)利要求1所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于： 所述電介質(zhì)顆粒a的平均粒徑！^為0. 16~0. 26 ym。3. 如權(quán)利要求1或2所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于： 相對于所述主成分100摩爾，含有如下成分作為所述稀土化合物： 以Ra2O3換算含有0. 6摩爾以上且1. 4摩爾以下的Ra的氧化物，其中，Ra為選自Dy、Gd 和Tb當(dāng)中的至少一種； 以Rb2O3換算含有0. 2摩爾以上且0. 7摩爾以下的Rb的氧化物，其中，Rb為選自Ho和 Y當(dāng)中的至少一種；以及 以Rc2O3換算含有0. 2摩爾以上且0. 7摩爾以下的Rc的氧化物，其中，Rc為選自Yb和 Lu當(dāng)中的至少一種。4. 如權(quán)利要求1或2所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于： 相對于所述主成分100摩爾以Mg換算含有0. 6摩爾以上且1. 6摩爾以下的Mg的氧化 物作為所述添加物。5. 如權(quán)利要求1或2所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于： 相對于所述主成分100摩爾以Si換算含有0. 6摩爾以上且不到1. 2摩爾的包含Si的 化合物作為所述添加物。6. 如權(quán)利要求3所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于： 相對于所述主成分100摩爾以Mg換算含有0. 6摩爾以上且1. 6摩爾以下的Mg的氧化 物作為所述添加物。7. 如權(quán)利要求3所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于： 相對于所述主成分100摩爾以Si換算含有0. 6摩爾以上且不到1. 2摩爾的包含Si的 化合物作為所述添加物。8. 如權(quán)利要求4所述的電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于： 相對于所述主成分100摩爾以Si換算含有0. 6摩爾以上且不到1. 2摩爾的包含Si的 化合物作為所述添加物。9. 一種陶瓷電子部件，其特征在于： 具有由權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的電介質(zhì)陶瓷組合物構(gòu)成的電介質(zhì)層、以及電極 層。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電介質(zhì)陶瓷組合物，其特征在于，是具備具有由通式ABO3(A是選自Ba、Ca和Sr當(dāng)中的至少一種，B是選自Ti和Zr當(dāng)中的至少一種)表示的鈣鈦礦型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的主成分、以及至少含有稀土化合物的添加物的電介質(zhì)陶瓷組合物，至少具備具有核殼結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)顆粒和偏析顆粒，在所述偏析顆粒中所述稀土化合物的濃度為所述具有核殼結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)顆粒的殼部的所述稀土化合物平均濃度的2倍以上，所述偏析顆粒所占的面積為0.1～1.1％，在令所述偏析顆粒的最大粒徑為rbmax、所述偏析顆粒的最小粒徑為rbmin、具有所述核殼結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)顆粒的平均粒徑為ra的情況下，rbmax/ra≤2.00和rbmin/ra≥0.25，不存在實(shí)質(zhì)上含有Mg的所述偏析顆粒。
【IPC分類】C04B35/468, C04B35/465, H01G4/30, C04B35/49, H01G4/12, C04B35/47, C04B35/48
【公開號】CN104944941
【申請?zhí)枴緾N201510131705
【發(fā)明人】森崎信人, 吉田武尊, 福岡智久, 松永裕太, 小松和博
【申請人】Tdk株式會(huì)社
【公開日】2015年9月30日
【申請日】2015年3月24日
【公告號】US20150274597