技術(shù)編號(hào):12699465
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于光催化材料制備方法技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種基于銀修飾的納米氧化亞銅光催化材料的制備方法。背景技術(shù)納米Cu2O的禁帶寬度約為2.1eV,是少有的可以被可見(jiàn)光激發(fā)的半導(dǎo)體材料,也是一種有金屬缺位的P型半導(dǎo)體材料,能夠有效吸收可見(jiàn)光范圍內(nèi)波長(zhǎng)的光,從而產(chǎn)生光生電子和空穴。當(dāng)用能量大于Cu2O帶隙寬度的光激發(fā)時(shí),電子和空穴便會(huì)在半導(dǎo)體表面及內(nèi)部迅速轉(zhuǎn)移以氧化或還原表面吸附物,進(jìn)而將各種有機(jī)無(wú)機(jī)污染物降解為CO2和H2O,且無(wú)二次污染,因此Cu2O在環(huán)保、去污領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用前景。但單純的納米Cu2O...
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