技術(shù)編號(hào):12680869
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的形成方法。背景技術(shù)隨著集成電路制造技術(shù)的快速發(fā)展,促使集成電路中的半導(dǎo)體器件,尤其是MOS(MetalOxideSemiconductor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體)器件的尺寸不斷地縮小,以此滿足集成電路發(fā)展的微型化和集成化的要求,而晶體管器件是MOS器件中的重要組成部分之一。對(duì)于半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō),隨著半導(dǎo)體器件的尺寸持續(xù)縮小,現(xiàn)有技術(shù)以氧化硅或氮氧化硅材料形成柵介質(zhì)層時(shí),已無(wú)法滿足半導(dǎo)體器件對(duì)于性能的要求。尤其是以氧化硅或氮氧化硅作為柵介質(zhì)...
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