技術(shù)編號(hào)：12680275
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工制造領(lǐng)域，尤其涉及一種形成空氣隙/銅互連的工藝方法。背景技術(shù)晶體管隨著摩爾定律不斷發(fā)展，特征線寬越來越小，集成密度越來越高，性能越來越強(qiáng)大。對(duì)于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，簡(jiǎn)稱CMOS)晶體管而言，速度是表征其性能的重要指標(biāo)。本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚，CMOS的速度與CMOS的延遲相關(guān)，CMOS的延遲可以細(xì)分為前道器件的延遲和后道互連線的延遲；并且，隨著半導(dǎo)體工藝尺寸減少，后道互連線的CMOS延遲的影響變得越來越大...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。