技術(shù)編號：12678745
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及冷原子物理領(lǐng)域的冷原子源，尤其涉及一種基于雙級二維磁光阱的大束流冷原子源。背景技術(shù)在冷原子研究領(lǐng)域，制備出大數(shù)量、低溫度的冷原子源是開展基礎(chǔ)和應(yīng)用研究的前提。三維磁光阱【MOT】是制備冷原子源的有效途徑，可參看【NewJournalofPhysics12(2010)095009，Nature400（1999）849等】。一般情況下，磁光阱能在數(shù)秒內(nèi)從原子背景蒸汽中裝載約108～109個(gè)原子，并將之冷卻到數(shù)十微開量級。磁光阱在裝載原子過程中，如果背景真空度較高，原子背景蒸汽壓比較小時(shí)，初...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。