技術(shù)編號：12671102
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及半導(dǎo)體制備領(lǐng)域，具體而言，涉及一種磁控濺射裝置及磁控濺射系統(tǒng)。背景技術(shù)物理氣相沉積(PVD)技術(shù)應(yīng)用于很多領(lǐng)域，其利用濺射靶材組件可提供帶有原子級光滑表面的具有精確厚度的薄膜材料沉積物。靶材組件是由符合濺射性能的靶材和適于與靶材結(jié)合并具有一定強度的背板構(gòu)成。在濺射過程中，靶材組件裝配在濺射基臺上，位于充滿惰性氣體的腔室里的靶材暴露于電場中，從而產(chǎn)生等離子區(qū)。等離子區(qū)的等離子與濺射靶材表面發(fā)生碰撞，從而從靶材表面逸出原子。靶材與待涂布基材之間的電壓差使得逸出原子在基材表面上形成預(yù)期的...
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