技術(shù)編號(hào):12670826
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米纖維技術(shù)領(lǐng)域,具體的涉及一種核殼結(jié)構(gòu)氧化鈦納米片/碳化硅納米纖維及制備方法。背景技術(shù)碳化硅(SiC)作為一種寬帶隙半導(dǎo)體,具有高擊穿電場(chǎng)、高臨界場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、良好的機(jī)械性能、耐高溫、抗輻射和耐腐蝕以及高載流子遷移速率等特性,它還與傳統(tǒng)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)具有良好的兼容性,最高使用溫度可達(dá)到1000℃,是一種理想的半導(dǎo)體功能材料。TiO2是一種重要的n型半導(dǎo)體材料,具有成本低廉、無(wú)毒、自清潔作用、相對(duì)阻抗變化大和環(huán)境友好等優(yōu)異的理化性質(zhì)。特別是在800℃以上高溫條件下,仍可以保持...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。