技術編號：12637262
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷基片的制備方法，特別涉及一種添加復合助燒劑制備高導熱氮化鋁陶瓷基片的方法。背景技術氮化鋁是一種綜合性能優(yōu)良新型陶瓷材料，具有優(yōu)良的熱傳導性，可靠的電絕緣性，低的介電常數(shù)和介電損耗，無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性，被認為是新一代高集程度半導體基片和電子器件封裝的理想材料。氮化鋁基片可用于混合集成電路、半導體功率器件、電力電子器件、光電器件、半導體制冷堆、微波器件等領域，作為基板和封裝材料。氮化鋁基片克服了氧化鈹、氧化鋁基片由于線膨脹系數(shù)與Si不匹配而造成的基...
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