技術(shù)編號(hào)：12634999
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種石墨烯的生長(zhǎng)設(shè)備，尤其是一種橫向布置的多腔室石墨烯連續(xù)生長(zhǎng)設(shè)備。背景技術(shù)眾所周知的：石墨烯雖然只有一個(gè)碳原子層厚,但由于其自身結(jié)構(gòu)特性使其表現(xiàn)出諸多世界之最，如最薄、最輕、最堅(jiān)韌、電阻率最小等，石墨烯被稱為材料界的“黑金”，21世紀(jì)“新材料之王”。石墨烯薄膜的規(guī)模化制備，經(jīng)過近幾年的廣泛研究，化學(xué)氣相沉積法是規(guī)?；苽涫┍∧ぷ钣星熬暗姆椒ㄖ?。CVD法制備高質(zhì)量的石墨烯薄膜是在1000度左右的真空條件下將碳源加熱分解成活性碳基團(tuán)，然后Cu、Ni等過渡金屬襯底上進(jìn)一步分解生成石墨...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。