技術(shù)編號(hào):12634811
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法,特別是涉及一種深硅刻蝕方法。本發(fā)明還涉及一種硅基MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器的制造方法。背景技術(shù)如圖1所示,是硅基MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器的示意圖,包括了3片鍵合在一起的硅晶圓,即第一硅晶圓101、第二硅晶圓102和第三硅晶圓103。其中,硅基MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器的主體部分形成于第二硅晶圓102上,第一硅晶圓101作為第二硅晶圓102的封蓋層,第二硅晶圓103上形成CMOS集成電路,通過(guò)CMOS集成電路對(duì)硅基MEMS運(yùn)動(dòng)傳感器進(jìn)行控制。第一硅晶圓101上形成有空腔1。硅基...
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