技術(shù)編號(hào):12623282
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于晶體硅太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種化學(xué)還原法制備高比表面積銀粉的方法,尤其是涉及一種提高太陽(yáng)能電池電極導(dǎo)電性的高比表面積的銀粉及制備方法。背景技術(shù)晶體硅太陽(yáng)能電池是通過(guò)光電效應(yīng)把光能轉(zhuǎn)換成電能的裝置。在半導(dǎo)體的P-N結(jié)上入射的合適波長(zhǎng)的輻射充當(dāng)在該半導(dǎo)體中產(chǎn)生空穴-電子對(duì)的外部能量源。由于P-N結(jié)處存在電勢(shì)差,空穴和電子在內(nèi)部電勢(shì)差的驅(qū)動(dòng)下以相反的方向跨過(guò)該P(yáng)-N結(jié)移動(dòng)。電子移動(dòng)到負(fù)極觸點(diǎn),空穴移動(dòng)到正極觸點(diǎn),從而產(chǎn)生向外部電路輸送電力的電流。所以太陽(yáng)能電池的正面電極對(duì)電流的收集和電池...
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