技術(shù)編號(hào):12614174
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種硅基鍺光電探測(cè)器。背景技術(shù)在半導(dǎo)體光電探測(cè)器中,光電探測(cè)器暴露于光源時(shí)經(jīng)由探測(cè)材料吸收光能并轉(zhuǎn)換成電子信號(hào)而輸出電流,可通過(guò)此用于光通訊及光探測(cè)。作為硅基光電集成技術(shù)中的重要代表之一的硅基鍺光電探測(cè)器,經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,在結(jié)構(gòu)上不斷優(yōu)化,性能進(jìn)一步提高。根據(jù)其光的入射角度,光電探測(cè)器可分為垂直入射(自由空間)和邊入射(波導(dǎo)集成)這兩種類型。其中波導(dǎo)集成的光電探測(cè)器由于光的傳播和吸收沿著波導(dǎo)方向,而載流子輸運(yùn)則沿著與之相垂直的方向,因此在保持吸收區(qū)厚度不變...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。