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硅基鍺光電探測(cè)器的制作方法與工藝技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):12614174

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本發(fā)明涉及光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種硅基鍺光電探測(cè)器。背景技術(shù)在半導(dǎo)體光電探測(cè)器中,光電探測(cè)器暴露于光源時(shí)經(jīng)由探測(cè)材料吸收光能并轉(zhuǎn)換成電子信號(hào)而輸出電流,可通過(guò)此用于光通訊及光探測(cè)。作為硅基光電集成技術(shù)中的重要代表之一的硅基鍺光電探測(cè)器,經(jīng)過(guò)幾十年的發(fā)展,在結(jié)構(gòu)上不斷優(yōu)化,性能進(jìn)一步提高。根據(jù)其光的入射角度,光電探測(cè)器可分為垂直入射(自由空間)和邊入射(波導(dǎo)集成)這兩種類型。其中波導(dǎo)集成的光電探測(cè)器由于光的傳播和吸收沿著波導(dǎo)方向,而載流子輸運(yùn)則沿著與之相垂直的方向,因此在保持吸收區(qū)厚度不變...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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