技術(shù)編號：12613930
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種功率器件及其制造方法。背景技術(shù)功率器件的最重要性能就是阻斷高壓，在功率器的MOS界面的耗盡層上承受高壓，隨著外加電壓的增大，耗盡層的電場強(qiáng)度也會增大，最終超過功率器件極限出現(xiàn)雪崩擊穿。在器件邊緣耗盡區(qū)電場曲率增大，會導(dǎo)致電場強(qiáng)度比管芯內(nèi)部大。在電壓升高的過程中管芯邊緣會早于管芯內(nèi)部出現(xiàn)雪崩擊穿，為了最大化器件的性能，需要在器件邊緣設(shè)計(jì)分壓結(jié)構(gòu)，減少有源區(qū)邊緣PN結(jié)的曲率，使耗盡層橫向延伸，以增強(qiáng)器件水平方向的耐壓能力，使器件的邊緣和內(nèi)部同時(shí)發(fā)生擊穿。截止環(huán)在分壓區(qū)域和劃片槽區(qū)域之間...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。