技術(shù)編號：12612957
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)隨著半導體工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，工藝節(jié)點逐漸減小，后柵(gate-last)工藝得到了廣泛應(yīng)用，來獲得理想的閾值電壓，改善器件性能。但是當器件的特征尺寸(CD，CriticalDimension)進一步下降時，即使采用后柵工藝，常規(guī)的MOS場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)也已經(jīng)無法滿足對器件性能的需求，鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)作為常規(guī)器件的替代得到了廣泛的關(guān)注。所述鰭式場效應(yīng)晶體管通常包括鰭部，以及橫跨鰭部的柵極結(jié)構(gòu)和位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭...
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